包括一個(gè)額外的電阻率測(cè)量選項(xiàng)。測(cè)量硅的電阻率，可用于沒(méi)有高度調(diào)節(jié)可能性的晶圓，或晶磚。必須預(yù)先定義這兩個(gè)選項(xiàng)中的一個(gè)。

MDPspot少子壽命測(cè)試儀特點(diǎn)：        

◇  無(wú)接觸無(wú)破壞的電學(xué)半導(dǎo)體特性        

◇  包括μ-PCD測(cè)量選項(xiàng)        

◇  對(duì)迄今為止看不見的缺陷的可視化和外延層的研究具有*的靈敏度        

◇  集成多達(dá)四個(gè)激光器，用于寬的注入水平范圍

◇  獲取單次瞬變的原始數(shù)據(jù)以及用于特殊評(píng)估目的的地圖        

技術(shù)規(guī)格:  

MDPspot少子壽命測(cè)試儀優(yōu)點(diǎn)：        

◇  臺(tái)式裝置，用于載流子壽命的單點(diǎn)測(cè)量，多晶硅或單晶硅在不同的制備階段，從原生材料到器件。        

◇  體積小，成本低，使用方便。附帶一個(gè)基本的軟件，用于在小型PC或筆記本上進(jìn)行結(jié)果可視化。        

◇  適用于硅片到磚，操作高度調(diào)節(jié)方便。

細(xì)節(jié)：        

◇  允許單晶圓片調(diào)查        

◇  不同的晶圓級(jí)有不同的配方        

◇  監(jiān)控物料、工藝質(zhì)量和穩(wěn)定性      

附加選項(xiàng)：

◇  光斑大小變化

◇  電阻率測(cè)量(晶片)

◇  背景/偏置光

◇  反射測(cè)量(MDP)

◇  軟件擴(kuò)展

◇  額外的激光器選配